- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
Тип роботи:
докторская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
341
Артикул:
135960 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Структурные микронеоднородности и междоменное взаимодействие в оксидных ферримагнитных средах
- К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках
- Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля
- Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов
- Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs
- Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
- Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике ?-Fe2 O3
- Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
- Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
- Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия