- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
Тип роботи:
докторская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
341
Артикул:
135960 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
- Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
- Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
- Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O)
- Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела
- Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs
- Вторичное свечение в пленках тетраэдрического углерода при лазерном возбуждении