- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
Тип роботи:
докторская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
341
Артикул:
135960 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе
- Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
- Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
- Влияние электрического поля на магнитосопротивление германия и арменида галлия
- Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
- Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi
- Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов
- Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
- Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
- Особенности энергетических спектров и рассеяния электронов проводимости в полупроводниках в квантующих магнитных полях