Ви є тут

Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита

Автор: 

Умрихин Владимир Васильевич

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

159

Артикул:

1000283256

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Гистерезисные и автоволновые явления в полупроводниковом интерферометре Фабри-Перо с термооптической нелинейностью
• Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма
• Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
• Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x=>< 0.175)=
• Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
• Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана
• Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота
• Минизонный электронный спектр и транспорт горячих электронов в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния
• Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах