- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
159
Артикул:
1000283256 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
- Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии
- Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы
- Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов
- Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств
- Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
- Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
- Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
- Влияние водородсодержащих газов на электрические характеристики МДП-структур и МДП-диодов
- Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии