Оглавление стр.
ВВЕДЕНИЕ.
1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ПО ПРОЦЕССАМ ГЕНЕРАЦИИРЕКОМБИНА1 ИИ В РЫП ЕРЕХОДАХ.
1.1 Электронные процессы при прямых смещениях
1.2 Электронные процессы при обратных смещениях.
1.3 Микроплазменные явления в рппереходах.
1.4 Заключение по обзору литературы и постановка задачи исследования.
2. РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ТОКИ В КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДАХ.
2. Характеристики образцов и технология изготовления.
2.2 Исследование профилей легирования.
2.2.1. Экспериментальная установка для измерения вольгфарадных характеристик.
2.2.2. Анализ вольтфарадных характеристик
2.2.3. Методика определения параметров аппроксимации концентрационного профиля диффузионного рпперехода.
2.2.4. Анализ концентрационных профилей легирующей примеси
2.3. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней
2.3.1. Анализ приведенной скорости рекомбинации.
В ы воды к г лаве 2.
3. ТУННЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В РПЕРЕХОДАХ.
3.1 Механизм прыжковой проводимости. Туннельная рекомбинация
3.1.1. Скорость туннельной рекомбинации.
3.1.2. Моделирование туннельной рекомби нации в рипереходе.
3.2 Прыжковая проводимость вдоль дислокации.
3.3 О методах снижения обратных токов эпитаксиальных диодов
Выводы к главе 3
4. МИКРОПЛАЗМЕННЫЙ ПРОБОЙ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ
4.1 Изготовление и структура образцов.
4.2 Электрические свойства микроплазм лавинных диодов.
4.2.1. Распределение эпитаксиальных микродиодов по напряжениям пробоя
4.2.2. Вольтамперныс характеристики микроплазм.
4.2.3. Температурная зависимость параметров микроплазм.
4.3 Экспериментальная установка для исследования задержки лавинного пробоя рпперехода
4.4 Методика микроплазмепиой спектроскопии глубоких центров
4.4.1. Измерение задержки пробоя
4.4.2. Определение параметров глубоких центров по статистической задержке пробоя.
4.5 Исследование фонового запуска пробоя микроплазмы
4.6 Исследование глубоких центров методом микроплазменной спектроскопии
Выводы к главе 4
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922