Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
ГЛАВА 1. Литературный обзор
1.1 Понятие о квантовых точках. Методы формирования
1.2 Гетеросфуктуры Се с квантовыми точками германия.
1.3 Слои квантовых точек ве в кремнии как фоточувствительный
материал для кремниевых ИК фото детекторов
1.4 Транспорт заряда в системе туннельносвязанных квантовых точек Ое
в кремнии.
1.5 Использование нанокластеров в качестве запоминающей среды
энергонезависимых усфойств памяти.
ГЛАВА 2. Эффект поля в слоях туннельносвязанных квантовых точек Ое
в кремнии.
2.1 Технологический процесс изготовления полевых фанзисторов с
квантовыми точками ве в канале
2.2 Осцилляции прыжковой проводимости в канале полевого транзистора
Выводы к главе 2.
ГЛАВА 3. ИК фотопроводимость в многослойных гетероструктурах Ое
с квантовыми точками Ое
3.1 Технологический процесс изготовления Ос фогодетекторов с
квантовыми точками Ое.
3.2 Структурные характеристики слоев Ое с квантовыми точками Ое .
3.3 Фотоэлектрические характеристики фотоприемников
3.4 Частотновременные характеристики фотоприемников.
Выводы к главе 3.
ГЛАВА 4. Нанокристаллы Се в пленках двуокиси кремния
4.1 Технологические процессы изготовления структур с нанокристаллами
4.2 Механизм формирования нанокристаллов.
4.3 Исследование процессов перезарядки квантовых точек Се в
диэлектрике
Выводы к главе 4.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
Заключение
Литература