СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава I. Особенности емкостных характеристик
современных полевых структур. Актуальные проблемы расчета и анализа.
1.1 Пороговые свойства ПТШ структур с сильно
неоднородным профилем легирования.
1.2 Анализ особенностей накопления поверхностного
заряда, обусловленных перезарядкой локализованных состояний.
1.3 Самосогласованный расчет поверхностной
концентрации проводящих электронов с учетом перезарядки поверхностных состояний.
1.4 Обобщение на случай квазинепрерывного спектра
ловушек. Эффективная подвижность и крутизна МОПтранзистора.
1.5 Накопление заряда в гетеротранзисторах с
высокой подвижностью НЕМТ. Квантовые поправки к результирующей емкости.
Глава II. Транспортные свойства квазидвумерных
электронных слоев в гетеротранзисторах.
2.1 Особенности кулоновского рассеяния в квазидвумерных электронных слоях
гетеротранзисторов.
2.2 Рассеяние квазидвумерных электронов на объемных акустических фононах. Аномальное концентрационное падение подвижности.
2.3 Разогрев носителей в субмикронных каналах. У л ьтраквази гидродинамическая транспортная модель.
2.4 Подавление ударной ионизации за счет электронной иижекции в объемный канал.
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922