Вы здесь

Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита

Автор: 

Умрихин Владимир Васильевич

Тип работы: 

кандидатская

Год: 

2000

Количество страниц: 

159

Артикул:

1000283256

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
• Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур
• Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии
• Моделирование неомической электропроводности сильно неоднородных сред
• Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
• Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
• Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов
• Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
• Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях