Вы здесь

Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита

Автор: 

Умрихин Владимир Васильевич

Тип работы: 

кандидатская

Год: 

2000

Количество страниц: 

159

Артикул:

1000283256

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
• Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах
• Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
• Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой
• Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком
• Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
• Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля
• Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ
• Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
• Исследование электрических и оптических свойств дислокационных сеток в кремнии