СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. Халькогенидные стеклообразные полупроводники. Исследование плотности состояний и поверхностных свойств 9
1.1. Энергетическая структура аморфных и
стеклообразных полупроводников
1.2. Методы изучения плотности состояний .
1.3. Исследование поверхности полупроводников фотоэмиссионными методами. Поверхностные свойства ХСП.
1.3.1. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и метод ЭСХА .
1.3.2. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия
1.3.3. Поверхностные свойства ХСП .
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ I. Постановка задачи
ГЛАВА П. Методика измерений.
2.1. Выбор методики исследования ХСП
2.2. Выбор анализатора энергий фотоэлектронов для исследования фотоэмиссии из ХСП
2.3. Экспериментальная установка
2.4. Разрешение энергоанализатора типа сферического конденсатора с задерживающим полем
2.4.1. Теоретический предел разрешения
2.4.2. Реальное разрешение энергоанализатора
стр.
2.4.3. Оценка работы энергоанализатора, используемого в установке
2.4.4. Экспериментальная проверка разрешения энергоанализатора .
ГЛАВА Ш. Исследование плотности состояний вблизи вершины валентной зоны ХСП .
3.1. Изготовление образцов для исследования
плотности состояний
3.2. Спектр плотности состояний у вершины
валентной зоны ХСП системы Ав Зв,Те.
3.2.1. Теоретические основы расчета плотности состояний по результатам измерения фотоэмиссии
3.2.2. Экспериментальное исследование плотности состояний в ХСП системыЛз5е7б
3.3. Исследование плотности состояний при переходе от состава составу
в системе АзввЗе.
3.4. Плотность состояний у верхнего края валентной зоны трисульфида мышьяка . . . III
3.5. Полученные результаты обсуждение . .
ГЛАВА 1У. Фотоэмиссионные исследования состояния поверхности и фотоструктурных превращений в ХСП . 8
4.1. Исследование состояния поверхности
стеклообразного Абх 5е, после различных обработок травление в щелочи, азотной кислоте, механическая шлифовка и полировка
стр.
4.1.1. Приготовление образцов .
4.1.2. Фотоэмиссионные исследования поверхности
4.2. Влияние окисления и действие органических растворителей на зарядовое состояние поверхности аморфных пленок
4.2.1. Приготовление образцов .
4.2.2. Влияние обработок на состояние поверхности
4.3. Изменение состояния поверхности аморфных пленок . 6i и пленок системы
при отжиге.
4.4. Перераспределение плотности состояний
при фотоструктурных превращениях
4.4.1. Приготовление образцов .
4.4.2. Исследование плотности состояний методом УФЭС
4.5. Обсуждение результатов .
4.5.1. Изменение состояния поверхности .
4.5.2. Фотоструктурные превращения . . .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922