- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
Тип работы:
докторская
Год:
2001
Количество страниц:
341
Артикул:
135960 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Исследование временной стабильности и моделирование параметров фотоприемников из антимонида индия с целью оптимизации их конструкции и технологии
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в тв#рдых растворах на основе висмута
- Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики
- Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе α-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X?0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности