- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
167
Артикул:
138770 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
- Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности
- Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности
- Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния
- Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
- Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в тв#рдых растворах на основе висмута
- Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2 B6 (На примере ZnSe)