- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
167
Артикул:
138770 179 грн
Рекомендовані дисертації
- К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением
- Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе
- Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения
- Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
- Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs
- Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)