- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
167
Артикул:
138770 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Акустическая микроскопия твердотельных структур
- Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
- Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
- Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков
- Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами
- Многоволновая рентгеновская рефлектометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур
- Локализованные орбитали в кристаллах с ковалентными связями