- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2006
Кількість сторінок:
127
Артикул:
7355 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
- Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
- Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
- Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов InS и гамма-In2S3
- Целочисленный квантовый эффект Холла и циклотронный резонанс в двумерном электронном газе с разъединенными уровнями Ландау
- Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур
- Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
- Динамика решетки, оптические и электрофизические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe
- Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения
- Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества