- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2006
Количество страниц:
127
Артикул:
7355 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах
- Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
- Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя
- Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
- Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
- Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах
- Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии
- Электрофизика пористого кремния и структур на его основе
- Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита