Содержание
Введение .
Главе I. Аналитический обзор литературы
1.1. Арсенид галлия как типичный представитель класса полупроводниковых соединений АВУ
1.2. Арсенид галлия, легированный различными примесями
1.3. Получение легированных слоев методом ионной имплантации ..
1 А. Радиационные дефекты в ионноимппзнтированных слоях .
1.5. Методы контроля и исследования ионноимплантироаанных
слоев . у.т.
Глава II. Обьекты экспериментальных исследований . Ч
2.1. Арсенид галлия, имплантированный ионами кремния с
различными дозами после имплантации и отжига
2.2. Арсенид таллия, имплантированный с разной энергией легеими ионами бериллия
2.3. Арсенид галлия, имплантированный с разной энергией тяжелыми ионами селена . Ч
Глава III. Методики изучения дефектообразования о
ионноимплантированных слоях арсенида галлия
3.1. Изучение дефектности имплантированных слоев методом
рентгеновской дифрактометрии
3.1.1. Методика изучения дефектов с помощью дифракции рентгеновских лучей .
3.1.2. Описание установки СО
3.1.3. Проведение эксперимента .
3.2 Моделирование профилей деформации по кривым
дифракционного отражения .
3.2.1. Алгоритм расчета кривых дифракционного отражения кристалла с нарушенным приповерхностным слоем
3.2.2. Методика моделирования .
3.2.3. Построение профилен концентрации точечных
дефектов в ионноимплантироеаиных слоях
3 3. Компьютерное моделирование процесса дефектооОраэоваиия
при имплантации по методу Монте Карло .
3.4. Получение профилей распределения примеси
методом масс спектрометрии вторичных ионов
3.4.1. Аппаратура для исследования .. .
3.4 2. Методика получения массспектра х глинного
профиля ..
3 4 3. Порядок проведения измерений
3.1.4. Профипометрия . ЯГ
3.5. Изучение дефектной структуры методом просвечивающей электронной микроскопии
3.5.1. Аппаратура для экспериментального изучения
3.5.2. Формирование изображения в микроскопе
3.5.3. Проведение эксперимента ..
Глава IV. Результаты экспериментального изучения конноимплантированных
слоев
4.1. Арсенид галлия, имплантированный ионами кремния
4.2. Арсенид галлия, имплантированный ионами бериллия
4.3 Арсенид галлия, имплантированный ионами селена
Глава V Анализ полученных результатов . Н
Выводы . .
Литература