СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Неустойчивость электрического тока в полупроводниках и полупроводниковых структурах
1.1 Классификация явлений неустойчивости тока и напряжения в полупроводниковых структурах
1.2 Экспериментальное исследование поверхностнобарьерной неустойчивости тока
1.3 Исследование воздействия оптического излучения на двухпереходные структуры
1.4 Исследование воздействие магнитного поля на двухпереходные структуры
1.5 Теоретическое описание поверхностнобарьерной неустойчивости тока. Неравновесные электронные процессы на границе раздела в контакте металлполупроводник
1.6 Анализ двухпереходной структуры на основе е эквивалентной электротехнической схемы
Выводы к разделу
2. Исследование однопереходных структур с поверхностнобарьерным переходом
2.1 Изготовление образцов однопереходных структур с поверхностнобарьерным переходом
2.2 Методика исследования электрофизических характеристик однопереходных структур
2.3. Результаты исследований физических свойств однопереходных структур
Выводы к разделу
3. Экспериментальное исследование электрических характеристик двухпереходных структур
3.1. Методы изготовления и измерения электрофизических характеристик двухпереходиых структур
3.2 Вольтамиерные характеристики двухпереходных структур, измеренные по схеме с общей базой
3.3 Вольтамперные характеристики двухпереходных структур, измеренные по схеме с общим эмиттером
3.4 Вольтамперные характеристики двухпереходных структур, измеренные по схеме с общим коллектором
3.5 Исследование электрических характеристик двухпереходных структур изготовленных по технологии термовакуумного напыления
Выводы к разделу 3
4. Математическое моделирование нелинейных колебательных систем на основе одно и двухпереходных полупро
водниковых структур
4.1 .Модельные приближения и обоснование эквивалентной схемы
4.2. Уравнения состояния колебательной системы на основе поверхностнобарьерного перехода
4.3 Расчет параметров возникающих колебаний
Выводы к разделу 4
Заключение
Список использованной литературы
- Київ+380960830922