- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
132
Артикул:
137034 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Исследование легированных монокристаллов CdCr2Se4 и создание на их основе поверхностно-барьерных структур типа шоттки
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
- Оптические свойства анизотропных кремниевых структур
- Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
- Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов
- Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды
- Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.