- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
132
Артикул:
137034 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
- Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии
- Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Me/Si(111)
- Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором
- Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
- Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении
- Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
- Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки
- Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии
- Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела