- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
132
Артикул:
137034 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
- Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
- Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
- Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
- Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP
- Образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельных элементов
- Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме
- Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела