- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
132
Артикул:
137034 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
- Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках
- Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
- Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
- Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
- Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
- Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
- Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур