- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
132
Артикул:
137034 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
- Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
- Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
- Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
- Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs
- Электрические и фотоэлектрические эффекты в кристаллах CdS, связанные с наличием подвижных и метастабильных центров
- Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
- Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)