Ви є тут

Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации

Автор: 

Шашкин Илья Сергеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005499111

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
• Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
• Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
• Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
• Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
• Электронно-энергетическое строение и субструктура нанослоев SnOx
• Влияние адсорбции молекул на электрофизические и магнитные свойства нанокомпозитов на основе пористого кремния
• Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe
• Энергетическая структура многоэлектронных атомов
• Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях