Ви є тут

Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации

Автор: 

Шашкин Илья Сергеевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005499111

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
• Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе
• Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды
• Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
• Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (?=2-5 мкм)
• Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм
• Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями
• Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
• Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения
• Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда