- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2012
Артикул:
1005499111 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
- Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
- Электронно-энергетическое строение и субструктура нанослоев SnOx
- Влияние адсорбции молекул на электрофизические и магнитные свойства нанокомпозитов на основе пористого кремния
- Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe
- Энергетическая структура многоэлектронных атомов
- Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях