Вы здесь

Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации

Автор: 

Шашкин Илья Сергеевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

2012

Артикул:

1005499111

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д. И. Менделеева
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота
• Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами
• Акустические и упругие свойства твердых многокомпонентных диэлектриков
• Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs1-yNy и InxGa1-xAs1-yNy твердых растворах
• Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
• Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
• Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe
• Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
• К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением