- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
Тип роботи:
ил РГБ ОД 61
Рік:
1061
Артикул:
7527 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электромагнитные колебания периодически-неоднородной плазмы полупроводников во внешних полях
- Исследование тонкопленочных структур на основе CdTe и их применение в солнечных батареях
- Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов
- Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
- Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
- Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
- Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов
- Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых ?-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
- Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках