- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2005
Кількість сторінок:
106
Артикул:
136696 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
- Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
- Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в тв#рдых растворах на основе висмута
- Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
- Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP
- Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия
- Электрозвуковые поверхностные волны в кристаллах с однородной нестационарностью свойств и равномерным движением границ
- Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов