- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2005
Кількість сторінок:
106
Артикул:
136696 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов
- Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой
- Теория оптических и акустоэлектрических явлений, связанных с аномалиями в пространственной дисперсии, полевой и деформационной зависимостях диэлектрических откликов кристаллов
- Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ
- Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe
- Свойства горячих электронов в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/Al x Ga1-x As
- Электронное упорядочение и фазовые переходы в кристаллах с узкими зонами проводимости
- Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений