Оглавление
Введение
1 Обзор литературы.
1.1 Эффекты переключения и памяти
1.1.1 Введение
1.1.2 Эксперимен чал ьные характеристики эффекта переключення
1.1.3 Память с изменяемым фазов,м состоянием.
1.2 Структура материалов системы СеВЬТе.
1.2.1 Введение.
1.2.2 Структура кристаллической фазы
1.2.3 Структура аморфной фазы С2Ь2Те5.
1.2.4 Зонная структура ОеЬ2Ге5
1.3 Электрические свойства хапькогенидных стеклообразных полупроводников в слабом электрическом ноле.
1.3.1 елегируемость.
1.3.2 Локализованные состояния.
1.3.3 Состояния с отрицательной корреляционной энергией электронов
1.4 Нелинейность нольтамперной характеристики в сильном электрическом ноле
1.5 Модели эффекта переключения.
1.5.1 Тепловая модель
1.5.2 Феноменологическая элскгроннотспловая модель
1.5.3 Электронные модели.
1.5.4 Модель, основанная на ударной ионизации в структуре с минус
центрами
1.5.5 Модель, основанная на прыжковой проводимости по локализованным
состояниям
1.5.6 Модель нуклеации.
1.5.7 Заключение.
1.6 Пос гановка задачи
2 Модель нелинейности ВАХ и эффекта переключении
2.1 Вычисление вероятности термос имулнрованной туннельной ионизации иминус центров
2.2 Сечение захвата электронов на ионизованный центр
2.3 Ионизация нейтрального центра в электрическом поле.
2.4 Ионизация притягивающего центра в электрическом иоле.
2.5 Проводимость тонкой пленки ХСП.
2.6 Выводы к главе 2.
3 Анализ модели
3.1 Зависимость волыамперной характеристики от параметров
3.2 Область существования 8образной волыамперной характеристики.
3.3 Выводы к главе 3.
4 Сравнение с экспериментальными данными.
4.1 Нелинейность волыамперной характеристики.
4.2 Пороговые параметры.
4.3 Время задержки.
4.4 Выводы к главе 4.
Заключение
Список использованной литературы
- Київ+380960830922