СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ КВАНТОВОГО
АНАЛОГА КМОП ТРАНЗИСТОРА.
1.1. Гетероструктуры на основе .
. 1.1. Приборы с резонансным туннелированием электронов.
1.1.2. Приборы иа сверхрешетках.
1.1.3. Гетероструктуры с селективным легированием и двумерным
электронным газом
1.2. Омические контакты к геле ростру кт урам с квантовыми ямами.
1.2.1. Омические контакты к структурам иа
1.2.2. Ыические контакты к отдельным квантовым ямам
1.3. Латеральный транспорт в одноямных структурах.
1.4. Эффекты трансформации волновой функции электронов в многоямных
структурах
1.5. Выводы по Главе 1
ГЛАВА 2. МОЛЕКУЛЯРНОЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР I
2.1. Описание установки молекулярнолучевой эпитаксии ЦНА
2.2. Получение сверхвысокого вакуума
2.3. Материалы для МЛЭ
2.4. одготовкл подложек
2.5. Эпитаксиальный рост.
2.5. . Анализ поверхности в ходе эпитаксиального роста
2.5.2. Л втоматизацт процесса роста
2.6. Влияние условий роста на свойства гетероструктур
2.7. ОСОБЕ НОСТИ РОСТА ГЕТЕРОСТРУКТУР I
2.7.1. Выращивание образцов
2.7.2. Рентгенодифракционные исследования .
2.7.3. Фотолюминесценция.
2.7.4. Расчет Ее.м, и определение параметров квантовых ям
2.8. Исследования р ШМТ структур с высокой концентрацией газа.
2.9. Выводы по Главе 2.
ГЛАВА 3. ФОРМИРОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К
СТРУКТУРАМ И КВАНТОВЫМ ЯМАМ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ .
3.1. Омические контакты к структурам на основе
3.2. Независимые омические контакты к отдельным квантовым ямам.
3.2.1. Методика создания селективных омических контактов
3.2.2. Теоретическое обоснование методики.
3.2.3. Технология получения экспериментальных образцов
3.2.4. Резул ьтаты
3.3. Выводы по Главе 3
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАТЕРАЛЬНОГО ТРАНСПОРТА В СТРУКТУРАХ С ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
4.1. Исследование латерального транспорта электронов в одноямных
СТРУКТУРАХ С ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ КВАНТОВЫМИ ямами.
4.2. Транзистор с модулированной подвижностью электронов.
4.3. Выводы по Главе 4.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ПУБЛИКАЦИИ О ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
ЛИТЕРАТУРА