Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий

Введение.
Глава 1. Взаимодействие ионов низких и гипертермальиых энергий с поверхностью полупроводников обзор
1.1. Роль внешнего моиоатомпого слоя поверхности
полупроводников в электронной технике
1.2. Сравнение методов анализа поверхности.
1.3. Способы вычисление результата столкновения частиц.
1.4. Потенциалы взаимодействия и сечения рассеяния.
1.5. Аппаратные и физические факторы, влияющие на форму и положение пиков в спектре
1.6. Теоретическое описание эффекта нейтрализации ионов
1.7. Особенности взаимодействия ионов с поверхностью в гипер термальном диапазоне энергий
1.8. Аппаратура для проведения исследований с помощью ионов
низких и гипертермальпых энергий
Выводы.
Глава 2. Описание эксперимента и программного обеспечения, разработанного для вычисления результатов взаимодействия ионов с атомами поверхности.
2.1. Экспериментальная установка.
2.2. Экспериментальные результаты
2.3. Потенциалы взаимодействия.
2.4. Программные средства и алгоритмы, используемые для моделирования результата взаимодействия частиц.
2.4.1. Описание пакета программ
2.4.2. Вычисление параметров рассеяния по формулам рассеяния
2.4.3. Алгоритмы моделирования взаимодействия иона с атомами динамическим методом.
2.4.4. Вычисление результата взаимодействия иона с движущимся
атомом.
Примечание.
Выводы.
Глава 3. Определение физического механизма рассеяния ионов гипертермалыгых энергий без потерь энергии
3.1. Взаимодействие с атомами
3.1.1. Особенности построения траекторий парного взаимодействия по формулам классического рассеяния.
3.1.2. Особенности взаимодействия с движущимся атомом
3.1.2.1. Сравнение траекторий движения частиц при взаимодействии с неподвижным и движущимся атомом.
3.1.2.2. Парное взаимодействие с сохранением начальных энергий частиц.
3.1.2.3. Вычисление сечения рассеяния и определение максимальной и минимальной возможных энергий рассеяния ионаЮ
3.1.2.4. Расчет пика парного упругого рассеяния от движущегося с тепловыми энергиями атома
3.1.3. Условия сохранения энергии при многократном малоугловом рассеянии
3.1.4. Взаимодействие иона с цепочкой атомов.
3.1.5. Выводы
3.2. Рассеяние поверхностью
3.2.1. Рассеяние поверхностным зарядом.
3.2.2. Условия сохранения энергии при многоатомном рассеянии
3.2.3. Взаимодействие с потенциальным полем поверхности
3.2.3.1. Модель стационарных кластеров.
3.2.3.2. Модель динамических кластеров.
Выводы.
Глава 4. Исследование физических процессов на поверхности
полупроводников.
Выводы.
Заключение
Список литературы