Ви є тут

Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур

Автор: 
Тахтамиров Эдуард Евгеньевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
1998
Кількість сторінок: 
89
Артикул:
1000225604
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Оглавление
1 Введение
1.1 Краткое описание работы.
1.2 История вопроса
1.2.1 Метод эффективной массы для объемных полупроводников
1.2.2 Проблемы метода для гетероструктур и обзор современных работ .
2 Однодолинный случай
2.1 Многозонная к р система уравнений
2.2 Проблема перехода в гпространство.
2.3 Однозонные уравнения.
2.3.1 Зона проводимости .
2.3.2 Валентная зона.
2.3.3 Уравнение на ОФ для узкой квантовой ямы в зоне проводимости .
2.4 Межподзонные оптические переходы в зоне проводимости.
3 Междолинное смешивание состояний
3.1 Постановка задачи и выбор базиса.
3.2 Многозонная к р система уравнений
3.3 Исключение далеких зон и переход к гпространству .
4 Заключение
Введение
Диссертация посвящена развитию метода огибающих функций и приближения аффективной массы применительно к полупроводниковым гетероструктурам.
1.1 Краткое описание работы
Актуальность