Ви є тут

Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена

Автор: 

Черняев Антон Валентинович

Тип роботи: 

Tl и SnTe

Рік: 

2005

Артикул:

7415

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников
• Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия
• Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
• Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм
• Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe
• Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах
• Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
• Энергетическая структура многоэлектронных атомов
• Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия
• Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов