СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Физические основы релаксационных методов исследовании глубоких уровней в полупроводниках. Разработка спектрометра глубоких уровней.
1.1. Феноменологические характеристики глубоких уровней.
1.2. Методы релаксационной спектроскопии объмного заряда.
1.3. мкостные методы релаксационной спектроскопии.
1.4. Определение спектра глубоких уровней методом 11ЛТ.
1.5. Разработка низкочастотной мкостной установки РСГУ.
1.6. Результаты и выводы.
ГЛАВА 2. Экспериментальное исследование захвата электронов н дырок на глубокие уровни в ваАз в присутствии сильного электрического поля.
2.1. Механизмы влияния электрического ноля на захват.
2.2. Объекты и задачи экспериментального исследования.
2.3. Методика измерения сечений захвата на ГУ в электрическом поле.
2.4. Приготовление и характеризация образцов. Техника эксперимента.
2.5. Эксперимен гальные результаты.
2.5.1. Захват дырок и электронов на глубокий уровень ЕЬ2.
2.5.2. Захват дырок и электронов на глубокие уровни А, В. Ре.
2.5.3. Полевая и концентрационная зависимость сечения захвата электронов на глубокий уровень 1с в области обеднения.
2.6. Результаты и выводы.
ГЛАВА 3. Роль глубоких уровней и процессов захвата в полевых ваАв приборах. Разработка метода и установки для неразрушающей диагностики многослойных
приборных структур арсснида галлия для ПТШ и ИС.
3.1. Роль глубоких уровней в арсенидгаллиевых структурах для ПТШ и ИС.
3.2. Экспериментальное исследование эпитаксиальных МОСУ структур арсенида галлия, предназначенных для серийного производства ПТШ и ИС.
3.3. Влияние качества буферного слоя на характеристики СЗаАв ПТШ.
3.4. Методика диагностики глубоких уровней в области границы раздела плнкаподложка в ЗаЛв структурах для ПТШ и ИС.
3.5. Измерение релаксации проводимости тонкоплночной структуры на СВЧ.
3.6. Разработка опытной установки для неразрушающей диагностики тонкоплночных полупроводниковых структур. Практические применения.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список цитируемой литературы
- Київ+380960830922