ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. Контактные явления в структурах на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников.
Обзор литературных данных
1.1. Электрические свойства сульфида мышьяка и сульфида сурьмы .
1.2. Контактные явления на границе ХСПметалл
1.3. Гетеропереходы и гетероструктуры на основе ЖП.
1.3.1 Общие положения.
1.3.2 Кристалл АВХСП
1.3.3 Кристаллический кремний ЖП.
1.3.4 ЖПЖП.
1.4. Выводы и постановка задачи.
Глава П. Технология получения слоев и гетероструктур на
основе ЖП.
2.1. Получение слоев и гетероструктур на основе ХС.
2.2. Аппаратура и медики измерений
Глава Ш. Электрические и фотоэлектрические характеристики контакта металламорфный полупроводник
3.1. Модель структуры с двойной обедненной областью.
3.2. Вольтамперные характеристики
3.3. Емкостные характеристики .
3.3.1 Зависимость емкости структуры от частоты
3.3.2 Зависимость емкости структуры от температуры
3.3.3 Зависимость емкости от напряжения смещения вольтфарадные характеристики
3.4. Фотоэдс на контактных барьерах структур
3.5. Обсуждение результатов . III
Выводы по главе 3 .
Глава 1У. Электрические и фотоэлектрические свойства
гетероструктур ЖПЖП.
4.1. Пленочные гетероструктуры в системах записи
информации.
4.2. Построение энергетической диаграммы гетероструктуры
4.3. Экспериментальные результаты и их обсуждение.
4.3.1 Фотоэдс
4.3.2 Спектры фототока
4.3.3 Нестационарный инфекционный ток в гетероструктурах
4.3.4 Вольтамперные характеристики .
4.3.5 Вольтфарадные характеристики
4.4. Заключение .
Глава У. Исследование гетеропереходов ЗАБеЖП
5.1. Особенности гетеропереходов и5еЖП.
5.2. Спектры фотопроводимости и фотоэдс
5.3. Вольтамперные характеристики
5.4. Емкостные характеристики .
5.5. Обсуждение результатов по 5 главе
Выводы
Заключение
Литература
- Київ+380960830922