СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. СОСТОЯНИЕ ШИЗИКИ ДЕФЕКТОВ В
ИОННОЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ.
1.1. Дефекты структуры в кремнии после ионного легирована .
1.1.1. Возникновение радиационных дефектов при ионном внедрении
1.1.2. Накопление дефектов и амортизация .
1.1.3. Пространственные распределения ионов и нарушений
в кристалле.
1.2. Селективное изучение дефектов структуры в ионноимплантированном кремнии методом фотолюминесценции
1.3. Рентгенографические исследования деформации кристаллической решетки в результате имплантации и последующего отжига
1.3.1. Топография
1.3.2. Двух и трехкристальная дифрактометрия
1.3.3. Получение количественных характеристик имплантированного слоя.
1.4. Термический и лазерный отжиг ионноимплантированных
1.4.1. Основные характеристики термического и лазерного отжигов
1.4.2. Механизм лазерного отжига.
1.4.3. Сравнение характерных результатов термического и
лазерного отжигов.
Заключение
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Рентгендифрактометрические измерения .
2.2. Регистрация спектров фотолюминесценции
2.3. Подготовка образцов.
2.3.1. Образцы для исследования методом рентгеновской дифрактометрии
2.3.2. Образцы для исследования методом фотолюминесценции
2.4. Термический отжиг
2.5. Лазерный отжиг .
2.6. Ионометрические измерения
3. РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКЦИЯ В ИОННОИМППАНГИРОВАННОМ КРИСТАЛЛЕ
3.1. Дифракция рентгеновских лучей на идеальном и реальном кристалле.
3.2. Модели нарушения в ионноимплантированном слое
3.2.1. Ступенчатый профиль
3.2.2. Гауссовский профиль
3.3. Расчет теоретической кривой отражения от нарушенного кристалла
3.4. Выбор оптимальных экспериментальных условий отражения.
3.5. Сравнение теоретических расчетов кривой качания
с помощью кине атической и динамической теорий.
3.5.1. Ступеньчатый профиль .
3.5.2. Гауссовский профиль
3.6. Влияние изменения параметров профилей на кривую качания .
3.7. Восстановление профилей деформаций и нарушений периодичности из экспериментальной кривой кача
ния путем оптимизации
Заключение .
4. СРАВНЕНИЕ РЕНТГЕНОВСКИХ ПРОФИЛЕЙ НАРУШЕНИЯ С ДАННЫМИ ДРУГИХ НЕЗАВИСИМЫХ МЕТОДИК
4.1. Теоретические расчеты потерь энергии имплантированных ионов
4.2. Спектры обратного рассеяния по Резерфорду
4.3. Применение анодного окисления . 1
4.4. Интегральные характеристики профилей деформации
кристалла, получаемые из рентгеновских данных
Заключение.
5. НАКОПЛЕНИЕ ДЕФЕКТОВ ВО ВРЕМЯ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И ИХ ОТЖИГ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМООБРАБОТКИ И ЛАЗЕРНОГО ОБЛУЧЕНИЯ
6.1. Влияние потока ионов .
5.1.1. Интегральные данные слоя
5.1.2. Пространственное накопление дефектов по данным профилей деформаций и нарушений периодичности
5.2. Термический отжиг
5.3. Лазерный отжиг.
5.3.1. Лазерный отжиг по данным профилей деформаций
Заключение .
6. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ.
6.1. Ионноимплантированные слои
6.2. Лазерное облучение .
Заключение
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922