- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
Тип работы:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Год:
2005
Артикул:
7396 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Электронно-энергетическое строение и субструктура нанослоев SnOx
- Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами
- Электрофизические, оптические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (Ge2)x(GaAs)1-x и гетеропереходы на их основе
- Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений
- Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
- Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5