- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
Тип работы:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Год:
2005
Артикул:
7396 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
- Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
- Моделирование электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами
- Влияние микро- и наноструктурирования на оптические свойства кремниевых слоев
- Электронные спектры Cd Ga/2 Se/4 и Cd Ga/2 S/4 в области 2- 6 эВ
- Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
- Локализованные примесные центры с частично заполненными d- и f- оболочками в бинарных полупроводниках
- Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: ? =0,78 - 1,3 мкм
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si