- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
184
Артикул:
139704 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
- Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии
- Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
- Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
- Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
- Люминесценция и преобразование энергии в минералах, керамиках и катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении
- Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта \"усталости\" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках