- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами
Тип работы:
кандидатская
Год:
1984
Количество страниц:
184
Артикул:
139704 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
- Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
- Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений
- Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела
- Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe
- Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0X0,015)
- Поглощение акустических волн в диэлектрических кристаллах с примесями
- Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111)
- Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике