Ви є тут

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений

Автор: 

Ковш Алексей Русланович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000213974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках
• Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния
• Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
• Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
• Нестационарные и нелинейные кинетические явления в баллистических квазиодномерных наноструктурах
• Многоволновая рентгеновская рефлектометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур
• Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях
• Особенности процесса переноса внедряемых ионов и атомов отдачи при имплантации в твердые тела
• Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике α-Fe2 O3
• Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного ?-легированного слоя в GaAs