Ви є тут

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений

Автор: 

Ковш Алексей Русланович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000213974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние адсорбционных покрытий на фотолюминесценцию пористого кремния
• Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
• Явления переноса в полупроводниковых пленках
• Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
• Исследование электрических и оптических свойств дислокационных сеток в кремнии
• Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм
• Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
• Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
• Термическое газофазное осаждение алмазных плёнок с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза в качестве центров зародышеобразования