Ви є тут

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений

Автор: 

Ковш Алексей Русланович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000213974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах
• Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков
• Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
• Применение лазерной обработки в технологии изготовления солнечных элементов
• Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
• Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
• Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
• Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах
• Электронные и сорбционные процессы в сенсорах на основе гетероструктуры кремний / металлоксидный полупроводник
• Динаміка формування хімічного зв'язку в низькосиметричних кристалах