- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
453549 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
- Электромагнитные колебания периодически-неоднородной плазмы полупроводников во внешних полях
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
- Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
- Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов
- Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
- Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма
- Взаимодействие упругой, спиновой и магнитной подсистем в борате железа
- Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем