- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
453549 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
- Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур
- Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
- Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: ? =0,78 - 1,3 мкм