- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
453549 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау
- Особенности структуры и колебательные спектры силленитов
- Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур
- Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах
- Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
- Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками