- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
264
Артикул:
181724 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
- Гистерезисные и автоволновые явления в полупроводниковом интерферометре Фабри-Перо с термооптической нелинейностью
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O)
- Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями
- Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов
- Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
- Электрические и оптические свойства пиролитических пленок окислов металлов
- Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Явления электронного переноса при низких температурах