- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
264
Артикул:
181724 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси
- Математические модели процессов, протекающих на границе полупроводник - газ и межфазных границах структуры металлическая плёнка - полупроводник, помещённой в активный газ
- Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники
- Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием
- Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
- Взаимодействие акцепторов III группы с собственными точечными дефектами в кремнии
- Магнитооптика и экситонное поглощение в тонких кристаллах и гетероструктурах на основе арсенида галлия
- Электронно-энергетическое строение и субструктура нанослоев SnOx
- Транспортные процессы в полупроводниках с участием линейных и объемных дефектов
- Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе