- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
264
Артикул:
181724 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига
- Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
- Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H
- Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении
- Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности
- Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией
- Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца
- Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия
- Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур