Ви є тут

Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига

Автор: 

Мохов Евгений Николаевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211601

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5
• Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
• Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит
• Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS
• Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
• Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн
• Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H
• Электрозвуковые поверхностные волны в кристаллах с однородной нестационарностью свойств и равномерным движением границ
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: ? =0,78 - 1,3 мкм
• Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5