Ви є тут

Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига

Автор: 

Мохов Евгений Николаевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211601

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл
• Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
• Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе
• Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах
• Электрозвуковые поверхностные волны в кристаллах с однородной нестационарностью свойств и равномерным движением границ
• Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3
• Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
• Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения
• Метод расчета и моделирования функциональных схем
• Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене