Ви є тут

Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига

Автор: 

Мохов Евгений Николаевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211601

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах
• Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия
• Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах
• Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2┤S4 и ZnAl2┤S4
• Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
• Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов
• Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях
• Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
• Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
• Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках