Ви є тут

Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига

Автор: 

Мохов Евгений Николаевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211601

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
• Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
• Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
• Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах
• Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
• Компьютерное моделирование роста наноструктур
• Фотоэлектрические преобразователи энергии на основе антимонида галлия и твердых растворов GaInAsSb
• Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
• Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике
• Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса