Ви є тут

Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига

Автор: 

Мохов Евгений Николаевич

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211601

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
• Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния
• Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах
• Структурная модификация свойств аморфного гидрогенизированного углерода
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
• Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое
• Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
• Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена
• Квазиландауское магнитопоглощение \"ридберговских\" состояний экситона в полупроводниках
• Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе