- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
Тип работы:
Кандидатская
Год:
2013
Артикул:
453549 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Поля дефектов и форма резонансных линий
- Электрические и фотоэлектрические эффекты в кристаллах CdS, связанные с наличием подвижных и метастабильных центров
- Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
- Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
- Компьютерное моделирование роста наноструктур
- Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты
- Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах
- Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
- Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
- Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ