СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Глава I. Электронностимулированные ионные процессы
1.1.Локальные процессы. Ю
1.2.Объемные процессы. Фотохимические реакции ФХР.
1.3.Возможные механизмы ФХР.
1.4.Фотохимические реакции, протекающие при лазерном облучении
1.5.Процессы, стимулированные акустическими волнами2
1.6. Перераспределение дефектов под действием постоянных механических напряжений и электрических полей.
Глава 2.Природа и механизм эффекта аномальной температурной
зависимости проводимости АТЗП грани кристаллов i .
2Л.Экспериментальные установки
2.2.Образование стуктуры, ответственной за АТЗП грани
кристаллов
2.3.Природа метастабшгьных центров, возникающих на грани
кристаллов при охлаждении
2.4.0 механизме эффекта АТЗП грани кристаллов
2.5.Выводы
Глава 3.Образование проводящих каналов в кристаллах под
действием электрического поля
3 Л. Обзор литературы.
3.2. Методика эксперимента 6
3.3.Исследование дрейфа дефектов в электрическом поле. Термостимулированная проводимость. Люминесценция. б2
3.4.Анизотропия проводимости кристаллов , наведенная электрическим полем. Условия формирования.б5
3.5. Амплитудночастотные и вольтамперные характеристикиМ
3.6.Механизм формирования электрическим полем анизотропии
проводимости . п
3.7.Природа проводящих участков канала.
3.8.Механизм дрзйфз дефектов .ЗН
3.9.Выводы
Глава 4.Влияние ультразвука на фотоэлектрические и .люминесцентные характеристики кристаллов сн з8
4.1. Методика эксперимента.
4.2. Влияние ультразвукового импульса на фотоэлектрические характеристики кристаллов Сс1Э
4.3.Фотолюминесценция . .
4.4. Причины к механизм изменения фототока под действием ультразвука
4.5.Выводы МО.
Глава 5. Влияние подвижных дефектов ка характеристики контакта металлполупроводникО .
5.1. Методика эксперимента.2
5.2.Влияние подвижных дефектов на изменение характеристик контакта металлсаэ.
5.3.Влияние освещения приэлектродных областей на характеристики . контакта 1псэ в кристаллах, содержащих подвижные дефекты 0
5.4.Вывод а.Ч
Общие ВЫВОДЫ
Литература
- Київ+380960830922