- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324383 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии
- Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
- Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O)
- Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
- Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
- Локализованные состояния и флуктуации в графене
- Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе
- Субструктура и оптические свойства гетероструктур на основе А3В5