Вы здесь

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений

Автор: 

Ковш Алексей Русланович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000213974

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Дихроизм и двулучепереломление растворов красителей, наведенные пикосекундными световыми импульсами, и их использование
• Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии
• Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
• Вторичное свечение в пленках тетраэдрического углерода при лазерном возбуждении
• Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
• Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
• Неупругое туннелирование куперовских пар с участием фононов в с- направлении в одиночных и стопочных контактах на микротрещине в Bi-Sr-Ca-Cu-O
• Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
• Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем
• Рост и спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов Na0,4 (Y,R)0,6 F22 (R-редкоземельные ионы) в коротковолновом диапазоне длин волн