Ви є тут

Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм

Автор: 

Пихтин Никита Александрович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2000

Артикул:

452749

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9
• Исследование оптических характеристик полупроводниковых кристаллов с узкими энергетическими зонами
• Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3
• Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
• Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x
• Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
• Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
• Теория фазовых переходов в неоднородные состояния, обусловленных кулоновским взаимодействием, в полупроводниках и сегнетоэлектриках
• Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации