Ви є тут

Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм

Автор: 

Пихтин Никита Александрович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2000

Артикул:

452749

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях
• Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм
• Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
• Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
• Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
• Явления электронного переноса в анизотропных и низкоразмерных полупроводниковых структурах
• Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
• Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
• Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение
• Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (l=2-5 мкм)