Ви є тут

Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм

Автор: 

Пихтин Никита Александрович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2000

Артикул:

452749

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников
• Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремний-германий, полученные методом ионной имплантации
• Исследование экситонных спектров поглощения в полупроводниковых кристаллах с учетом ангармонизма фононов
• Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников
• Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
• Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и ?-C:H облучением ионами PFn средних энергий
• Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации
• Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
• Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе
• Рост и спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов Na0,4 (Y,R)0,6 F22 (R-редкоземельные ионы) в коротковолновом диапазоне длин волн