Вы здесь

Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм

Автор: 

Пихтин Никита Александрович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

2000

Артикул:

452749

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
• Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
• Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
• Исследование энергетических структур твердых тел тензорным методом
• Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах
• Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs
• Резонансные состояния в деформированных полупроводниках
• Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
• Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии