Вы здесь

Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : ? = 1.3-1.55 мкм

Автор: 

Пихтин Никита Александрович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

2000

Артикул:

452749

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния
• Управление концентрацией свободных носителей заряда в кремниевой наноструктуре
• Квантовые кинетические уравнения динамики взаимодействующей экситон-поляритонной системы в полупроводниковом микрорезонаторе
• Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов Al(x)Ga(1-x)N
• Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
• Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
• Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами
• Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода
• Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
• Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н