Оглавление.
Введение
Глава 1. Микроструктуры на основе и 1пР
7. Технология получения полупроводниковых микроструктур
1.1.1 Технология получения микростолбиков
1.1.2 Технология получения двумерных фотонных кристаллов
1.1.3 Технология получения микролазера с распределенным Брэгговским отражателем воздухполупроводник
1.2 Реактивное ионное травление
1.2.1 Материалы масок и методы их формирования
1.2.2 Химические процессы реактивного ионного травления
1.2.3 Выбор параметров процессов травления микюструктур на основе
1.2.4 Выбо параметров процессов травления микроструктур на основе
1.3 Оптические исследования и результаты
1.3.1 Оптические исследования микростолбиков
1.1.2 Оптические исследования фотонных кристаллов
1.1.3 Оптические исследования гетеролазера с глубоко протравленным распределенным Брэгговским отражателем
Глава 2. Светодиоды на основе нитридов IIIгруппы
2.1 Конструкция и технология получения светодиодов на основе
2.2 Реактивное ионное травление
2.2.1 Выбор режимов травления
2.2.2 Выбор масок для травления ОаИ
2.3 Характеристики светодиодов на основе нитридов III группы
2.4. Создание микрорельефа на границах полупроводниквоздух и подложкавохдух методом реактивного ионного травления для повышения внешней квантовой эффективности светодиодов на основе гетероструктур
АСапП
2.4.1 Создание микрорельефа на границе полупроводниквоздух
2.4.2 Создание микрорельефа на границе подложкавоздух
Глава 3. Получение микроструктур методом наноимприна
3.1 Основы метода наноимпринта
3.2 Реактивное ионное травление полупроводниковых структур на основе
кремния
3.3 Эксперименты по получению микроструктур с помощью методов
наноимринта и реактивного ионного травления
3.3.1 Изготовление штампов для наноимпринта с помощью метода
реактивного ионного травления
3.3.2 Получения микроструктур на основе С а Аз с помощью методов
наноимпринта и реактивного ионного травления
Заключение
Литература
- Київ+380960830922