Ви є тут

Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом

Автор: 

Камаев Геннадий Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
• Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое
• Электромагнитные колебания периодически-неоднородной плазмы полупроводников во внешних полях
• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
• Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов
• Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
• Энергетическая структура макромолекул и наноструктур
• Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
• Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015)
• Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9