Ви є тут

Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом

Автор: 

Камаев Геннадий Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур
• Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии
• Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
• Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Электронные явления в наногетерогенной структуре, содержащей квантовые точки
• Оптические свойства пористых низкоразмерных структур на основе кремния и фосфида галлия
• Исследование особенностей проявления дисперсионных сил в наноразмерных слоистых структурах на основе кремния
• Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
• Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов
• Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H