Ви є тут

Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом

Автор: 

Камаев Геннадий Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206974

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром
• Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
• Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
• Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники
• Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
• Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111)
• Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
• Квазиландауское магнитопоглощение ридберговских состояний экситона в полупроводниках
• Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе
• Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии