Вы здесь

Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом

Автор: 

Камаев Геннадий Николаевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000206974

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
• Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
• Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
• Явления электронного переноса в анизотропных и низкоразмерных полупроводниковых структурах
• Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
• Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением
• Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
• Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау
• Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках