Ви є тут

Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5

Автор: 

Серебренникова Ольга Юрьевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2011

Артикул:

1005424637

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств
• Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
• Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
• Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2
• Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
• Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx
• Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
• Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (?=1.6-1.85 мкм
• Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда
• Деградация структур металл-арсенид галлия