Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СТРУКТУРЫ С РЕЗОНАНСНЫМ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ
1.1. Принцип действия. Экспериментальные результаты
1.2. Обоснование выбора конструкции РТС
1.3. Исследования резонансного туннелирования в многобарьерных РТС
1.4. Выводы
ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОЦЕССА МОЛЕКУЛЯРНОЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ СОЕДИНЕНИЙ А3В5И МЕТОДЫ АНАЛИЗА ВЫРАЩИВАЕМЫХ СТРУКТУР
2.1. Общая характеристика технологии и оборудование МЛЭ
2.2. Параметры и характеристика процессов роста СаАэ и АОахАв.
Выбор определяющих критериев технологии МЛЭ для создания РТС
2.3. Легирование эпитаксиальных слоев ОаАБ и АЬчОаьхАз в условиях МЛЭ
2.4. Методики анализа и контроля
2.4.1. Дифракция быстрых электронов
2.4.2. Измерение холловской подвижности и концентрации носителей
2.4.3. Фотолюм инесценция 4
2.4.4. Просвечивающая электронная микроскопия
2.5. Выводы
ГЛАВА 3. ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМОВ МЛЭ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ
СТРУКТУР С РЕЗОНАНСНЫМ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ НОСИТЕЛЕЙ
3.1. Получение сверхвысокого вакуума
3.2. Подготовка оборудования к технологическим процессам
3.3. Полупроводниковые пластины ОаАя и их подготовка к росту
3.4. Выращивание эпитаксиальных слоев ОаАя
3.4.1. Оптимизация толщины буферного слоя
3.4.2. Оптимизация скорости роста
3.4.3. Определение оптимальной температуры роста и
отношения РлДРоа
3.4.4. Определение режимов легирования
3.5. Оптимизация режимов МЛЭ при росте А1Аз и Л1хСа3.хА
3.6. Оптимизация режимов формирования границ раздела
3.6.1. Единичный гетеропереход
3.6.2. НЕМТструктура с квантовой ямой прямоугольной формы
3.6.3. Выращивание структур с квантовыми ямами
3.7. Структура резонанснотуннельных диодов
3.7.1. Приконтактные области
3.7.2. Квантовая область
3.7.3. ТБРТС
3.7. Технологический маршрут изготовления РТД
3.8. Результаты и выводы
ГЛАВА 4. РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ В
ДВУХБАРЬЕРНЫХ РТД
4.1. Методика измерения статических и динамических характеристик
4.2. Статические характеристики
4.3. Динамические характеристики
4.4. Результаты и выводы
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ТРАНСПОРТА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В РЕЗОНАНСНОТУННЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ С ТРЕМЯ БАРЬЕРАМИ
5.1. Характеристики ТБРТД с барьерами из ААб
5.1.1. Низкочастотный режим
5.1.2. Высоко частотны й режим
5.2. Статические характеристики ТБРТД с барьерами из АхОа.хАв
5.3. Результаты и выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА