Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии

Оглавление
Введение.
1. Радиационные дефекты в кремнии.
1.1. Простые радиационные дефекты
1.2. Первичные радиационные дефекты
1.2.1. Вакансия
1.2.2. Междоузельный кремний.
1.2.3. Дивакансия
1.3. Вторичные радиационные дефекты
1.3.1. Многовакансионные комплексы.
1.3.2. Ацентр.
1.3.3. Ецентр.
1.3.4. Кцентр.
1.3.5. Комплекс В
1.4. Выводы к главе 1
2. Модель образования радиационных дефектов в кремнии.
2.1. Образование вакансии и междоузельного кремния при разделении пары Френкеля
2.2. Образование первичных радиационных дефектов в каскаде смещений
2.3. Взаимодействие электронов с атомами кристаллической решетки.
2.4. Взаимодействие протонов с атомами кристаллической решетки.
2.5. Система уравнений, описывающая образование вторичных радиационных дефектов.
2.6. Выводы к главе 2
3. Расчт образования первичных радиационных дефектов.
3.1. Анализ процесса разделения пар Френкеля.
3.2. Расчт положения уровня Ферми в запрещнной зоне кремния
3.3. Расчт линейной скорости генерации первичных радиационных дефектов
3.4. Анализ зависимостей линейных скоростей генерации первичных
радиационных дефектов от температуры.
3.5. Анализ зависимостей линейных скоростей генерации первичных радиационных дефектов от положения уровня Ферми.
3.6. Выводы к главе 3
4. Расчт образования вторичных радиационных дефектов
4.1. Изменение концентрации носителей заряда в кремнии в результате облучения потоком частиц
4.2. Анализ зависимостей концентрации вторичных радиационных дефектов от температуры.
4.3. Расчт зависимостей концентраций вторичных радиационных дефектов от концентраций примесей.
4.4. Статистика заполнения электронных состояний, созданных вторичными радиационными дефектами в запрещенной зоне кремния.
4.5. Выводы к главе 4.
5. Анализ образования областей разупорядочения
5.1. Параметры областей разупорядочения.
5.2. Зависимость линейной скорости генерации от температуры.
5.3. Зависимость линейной скорости генерации от положения
уровня Ферми.
5.4. Плотность электронных состояний
5.5. Статистика заполнения электронных состояний в областях разупорядочения
5.6. Разность потенциалов между областью разупорядочения и объмом кремния
5.7. Электронноэнергетическая диаграмма рпперехода с областью разупорядочения в субмикронном слое ртипа проводимости
5.8. Выводы к главе 5.
Заключение
Список использованных источников