Ви є тут

Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств

Автор: 

Лундин Всеволод Владимирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196908

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе
• Оптические свойства анизотропных кремниевых структур
• Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур
• Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
• Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
• Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
• Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением
• Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
• Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии
• Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства