Ви є тут

Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств

Автор: 

Лундин Всеволод Владимирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196908

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Магнитные осцилляции оптических и транспортных характеристик квантовых точек и колец
• Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции
• Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
• Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур
• Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015)
• Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза
• Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
• Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
• Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия
• Динаміка формування хімічного зв'язку в низькосиметричних кристалах