- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур
Тип роботи:
Дис. канд. техн. наук
Рік:
2003
Артикул:
7482 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
- Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
- Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния
- Явления переноса в полупроводниковых пленках
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм
- Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков
- Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения
- Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
- Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое