Ви є тут

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами

Автор: 

Каменская Ирина Валентиновна

Тип роботи: 

диссертация кандидата физико-математических наук

Рік: 

2007

Артикул:

7256

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
• Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ
• Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
• Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
• Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
• Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
• Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
• Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах
• Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
• Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5