- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7256 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга
- Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
- Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах
- Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
- Полупроводниковые гетероструктуры с квантовыми точками : Получение, свойства, лазеры
- Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии
- Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры
- Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Транспортные процессы в полупроводниках с участием линейных и объемных дефектов