- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2007
Артикул:
7256 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ
- Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах
- Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
- Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
- Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
- Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона
- Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
- Двухволновая модуляционная спектроскопия неравновесных электронов в полупроводниковых структурах
- Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка
- Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5