ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
ГЛАВА 1. МЕТОДЫ РОСТА И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ вЮгв.
1.1. Методы формирования структур 0г.
1.1.1. Пористый кремний
1.1.2. Методы осаждения
1.1.3. Ионносинтезированные нанокластеры и нанокристаллы .
1.2. Люминесцентные свойства системы 8Юг.
1.2.1. Люминесцентные свойства диоксида кремния
Структура диоксида кремния.
Собственные дефекты в аморфном диоксиде кремния
1.2.2. Катодолюминесцснция аморфного диоксида кремния
КЛ объемного диоксида кремния
1.2.3. Кремний, люминесценция кремния
Катодолюминесценция объемного кремния
1.2.4. Механизмы люминесценции, связанной с нанокристаллами в 8ЮХ.
1.2.5. Люминесценция структур 8Ю2.
Пленки диоксида кремния на кремнии.
КЛ пленок диоксида кремния на кремнии
Люминесценция диоксида кремния с нанокластерами кремнием.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА, ИССЛЕДУЕМЫЕ ОБРАЗЦЫ
2.1. Используемые методы
2.1.1. Локальная катодолюминесценция
Глубина области генерации катодолюминесценции.
Определение количества люминесцирующих центров
2.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия ПЭМ.
2.1.3. Методы определения состава.
Изображения ПЭМ.
2.2. Образцы
2.3. Определение условий модификации диоксида кремния
электронным пучком
Проведение расчета локальной температуры нагрева объемного аморфного
диоксида кремния.
Расчет температуры нагрева для образцов ПЭМ.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
ГЛАВА 3. ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ ТОКА НА АМОРФНЫЙ
ДИОКСИД КРЕМНИЯ.
3.1. Облучение пленок диоксида кремния
3.2. Облучение объемного диоксида кремния.
3.2.1. Изменение катодолюминесцснции при облучении электронным
3.2.2. Аморфный диоксид кремния после длительного облучения
электронным пучком
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.
ГЛАВА 4. ОСОБЕНОСТИ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ ПРИ ВАРЬИРОВАНИИ ПАРАМЕТРОВ ЭКСПЕРИМЕНТА И НАЧАЛЬНОГО СОСТАВА ДИОКСИДА КРЕМНИЯ
4.1. Исследование влияния плотности тока на процесс формирования нанокластеров кремния.
4.1.1. Низкая плотность тока электронного пучка ТоЬ С.
4.1.2. Низкая плотность тока электронного пучка Тоь0С
4.1.3. Средняя плотность тока электронного лучка Тон00С
4.1.4. Высокая плотность тока электронного пучка Т0, 0С.
4.2. Исследование влияния содержания ОНгрупп а диоксиде кремния на процесс формирования нанокластеров кремния.
4.2.1. Низкая плотность тока электронного пучка Т0, С
4.2.2. Средняя плотность тока электронного пучка Т0и 0С
4.2.3. Высокая плотность тока электронного пучка Т0ь С.
4.3. Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния
имплантированном ионами кремния, кислорода и водорода.
4.3.1. Низкая плотность тока электронного пучка Т0, С.
4.3.2. Высокая плотность тока электронного пучка То, 0С.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.
ГЛАВА 5. ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В АМОРФНОМ ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ ПОД
ВОЗДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА
5.1. Формирование свободного кислорода в диоксиде кремния.
5.2. Диффузия кислорода.
5.3. Рост нанокластеров.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5.
Заключение.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922